来自商陆军的问题
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等.回答下列问题:(1)写出基态As原子的核外电子排布式___.(2)根据元素周期律,原子半径Ga___As,第一
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等.回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式___.
(2)根据元素周期律,原子半径Ga___As,第一电离能Ga___As.(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为___,其中As的杂化轨道类型为___.
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是___.
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为ρg•cm-3,其晶胞结构如图所示.该晶体的类型为___,Ga与As以___键键合.Ga和As的摩尔质量分别为MGag•mol-1和MAsg•mol-1,原子半径分别为rGapm和rAspm,阿伏伽德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为___.
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2020-05-0806:51